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| 采购镀膜设备---低压化学气相沉积设备项目 | |
| 项目所在采购意向： | |
| 采购单位： | ****点击查看 |
| 采购项目名称： | 采购镀膜设备---低压化学气相沉积设备项目 |
| 预算金额： | 380.000000万元(人民币) |
| 采购品目： | |
| 采购需求概况 ： | 标的名称:采购镀膜设备---低压化学气相沉积设备项目 标的数量:1 主要功能或目标:主要功能： 本设备主要用于半导体集成电路及分立器件的氧化LPCVD等工艺。 通过卧式氧化炉与LPCVD工艺的结合使用，可以形成一个完整的半导体制造工艺链。并进一步提升工艺的兼容性，使得整个制造过程更加高效和可靠。 目的： 该设备生成的氧化层可以作为这些材料的沉积基底，可以制造出具有优异性能的半导体器件，满足各种高科技产品的需求。 需满足的要求:基本硬件配置： 主机柜（含基本工艺腔室),净化工作台,气路气源柜系统,真空及压力控制系统、计算机控制系统、自动化模块、加热炉体及其配套硬件。 适用晶圆要求：6英寸 工艺性能基本要求： ①极限真空度≤8×10-1Pa；工作真空度应在15～100Pa且范围内可调；压力测量范围在1Pa～105Pa之间。 ②适配以下四类工艺条件：热氧化、多晶硅、SiO2-TEOS、Si3N4。 ③膜厚均匀性： 热氧化 |
| 预计采购时间： | 2024-12 |
| 备注： | |
本次公开的****点击查看政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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