广东中科半导体微纳制造技术研究院2024年11月至2024年12月政府采购意向

广东中科半导体微纳制造技术研究院2024年11月至2024年12月政府采购意向

发布于 2024-11-05

招标详情

广东中科半导体微纳制造技术研究院
联系人联系人14个

立即查看

可引荐人脉可引荐人脉541人

立即引荐

历史招中标信息历史招中标信息852条

立即监控

公告信息
公告标题 公告编号 公告发布时间 公告性质
****点击查看2024年11月至2024年12月政府采购意向
****点击查看
2024-11-05 08:49:00
正常公告
公告内容

为便****点击查看政府采购信息,根据《****点击查看政府采购意向公开工作的通知》(财库〔2020〕10号)等有关规定,现将本单位2024年11月至2024年12月采购意向公开如下:

序号 采购项目名称 采购需求概况 落实政府采购政策情况 预算金额(元) 预计采购时间 备注
1 采购镀膜设备---低压化学气相沉积设备项目
标的名称:采购镀膜设备---低压化学气相沉积设备项目
标的数量:1
主要功能或目标:主要功能: 本设备主要用于半导体集成电路及分立器件的氧化LPCVD等工艺。 通过卧式氧化炉与LPCVD工艺的结合使用,可以形成一个完整的半导体制造工艺链。并进一步提升工艺的兼容性,使得整个制造过程更加高效和可靠。 目的: 该设备生成的氧化层可以作为这些材料的沉积基底,可以制造出具有优异性能的半导体器件,满足各种高科技产品的需求。
需满足的要求:基本硬件配置: 主机柜(含基本工艺腔室),净化工作台,气路气源柜系统,真空及压力控制系统、计算机控制系统、自动化模块、加热炉体及其配套硬件。 适用晶圆要求:6英寸 工艺性能基本要求: ①极限真空度≤8×10-1Pa;工作真空度应在15~100Pa且范围内可调;压力测量范围在1Pa~105Pa之间。 ②适配以下四类工艺条件:热氧化、多晶硅、SiO2-TEOS、Si3N4。 ③膜厚均匀性: 热氧化
落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品等政策情况 3,800,000.00 2024年12月

本次公开的****点击查看政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。

****点击查看

2024年11月05日